群联支援美光64层3D NAND 抢先卡位主流制程
为因应智慧行动储存市场进入128GB、256GB等大容量需求，快闪记忆体控制晶片大厂群联（8299）正式宣布eMMC/eMCP／UFS控制晶片将全系列支援美光64层3D NAND Flash，已准备次世代96层技术研发，不但协助客户在智慧行动装罝市场扩大产品战线，亦为客户卡位车联网商机作好准备。
2018年全球行动通讯大会(MWC)正式于本周登场，今年度的智慧新机内嵌式记忆体容量全面跃升至128GB、256GB的储存容量等级。
从各国际品牌手机厂2018年将推出的旗舰机种来看，非苹阵营的智慧新机内嵌式记忆体储存容量规格提升至128GB，至于全球前两大智慧型手机厂主攻之旗舰新机则不约而同皆搭载256GB的UFS内嵌式记忆体，宣告64层甚至更高层数的3D NAND Flash技术正式接棒成为快闪记忆体的主流制程。
群联表示，3D NAND Flash透过垂直立体堆叠储存单元的方式，突破了2D NAND Flash的物理极限，其最高容量将可倍增至256Gb(32GB)，并可提升读写资讯之效能。
目前各大国际快闪记忆体制造大厂的3D NAND Flash制程演进来看，群联看好64层的3D NAND Flash将为今年最大宗之主流技术，因此除了领先同业推出的可支援该制程技术的高速UFS控制晶片PS8313外，包括既有热卖的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制晶片皆同步支援东芝阵营及美光阵营的64层3D NAND Flash。
另方面，进一步支援次世代的96层3D NAND Flash之先进制程技术的控制晶片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且长期完整的产品规划满足智慧行动装置、车联网等客户扩大全球市场布局之需求。