SK海力士DRAM事業轉盈

记忆体晶片制造商SK海力士（SK Hynix）。 欧新社

全球第二大记忆体晶片制造商SK海力士（SK Hynix）上季亏损高于市场预期，DRAM晶片事业虽因人工智慧（AI）热潮而转亏为盈，NAND快闪记忆体晶片部门却仍陷亏损，暗示全球记忆体晶片市场复苏不均，SK海力士股价26日收盘重挫5.9%，为一年多来最大单日跌幅。

SK海力士26日表示，第3季营业损失1.79兆韩元（13.2亿美元），为连四季出现营损，亏损金额虽比第2季的2.9兆韩元大幅收敛，但比市场预估高出42%。

海力士DRAM部门第3季终止连两亏，且看好半导体景气逐渐摆脱长达一年多的低迷，随记忆体市况回温，记忆体大厂南亚科、华邦电持续推进技术进程，模组厂威刚也强推新品抢攻市占。

上季营收则年减17.5%至9.07兆韩元，减幅比第2季的47%收敛，整体营收则高于市场预期。里昂证券韩国公司分析师拉娜指出，多数分析师预估SK海力士上季顶多营损1.3兆韩元，从这个角度来看令人失望，而亏损大于预期、营收又高于预期，可能反映晶片厂产能利用率低迷的相关成本。

SK海力士表示，AI记忆体晶片HBM3和高容量行动DRAM等旗舰产品的销售，带动上季记忆体晶片出货量季增约20%，平均售价也上涨约10%，促使该公司营收季增24%、营损季减38%，「最重要的是，在第1季转为亏损的DRAM事业，在两季后重返获利」。

SK海力士未来几季将聚焦高效能产品，「明年的设施投资将增加，我们将更聚焦于设施转型，而非扩张产能」。市场对生成式AI领域的高频宽记忆体（HBM）等先进DRAM晶片需求强劲，SK海力士主管说，HBM3和HBM3E的明年需求超越产能，还收到额外的洽询需求。由于库存水准仍高，SK海力士NAND快闪记忆体部门亏损，并且审慎看待展望，将持续减少销售这类产品，预估本季出货量季减10%。