SK海力士 下單台積3奈米

据传SK海力士的第六代高频宽记忆体「HBM4」，将改采3奈米制程，并使用台积电技术。 （路透）

南韩媒体3日引述消息人士报导，人工智慧（AI）记忆体晶片大厂SK海力士（SK Hynix）的第六代高频宽记忆体「HBM4」晶片，将改采3奈米制程，并使用台积电（2330）技术，预定明年下半年供货给辉达（Nvidia）。此外，辉达执行长黄仁勋3日造访泰国时，与泰国政府同意加强AI合作。

韩国经济日报报导，SK海力士原本打算以5奈米制程生产客制化的HBM4，但主要客户要求供应更先进的记忆体，SK海力士因而改用3奈米制程，预计2025年下半给出货给辉达。目前辉达的绘图处理器（GPU）产品是以4奈米HBM晶片为基础。

报导指出，SK海力士据传在3月发布的HBM4晶片原型，是在3奈米基础裸晶（base die）上垂直堆叠。相较于5奈米裸晶，堆叠在3奈米基础裸晶上的HBM，效能料可提高20%~30%。但SK海力士的一般型HBM4和HBM4E，将与台积携手采用12奈米制程。

SK海力士生产的第五代HBM「HBM3E」为使用自家基础裸晶，HBM4则决定采用台积电技术。该公司的HBM4采3奈米基础裸晶，将进一步拉大领先三星电子的差距，三星计划用4奈米制程生产HBM4。

SK海力士已掌握全球约半数HBM市场，多数HBM均销往辉达。SK集团会长崔泰源11月表示，黄仁勋要求他提前六个月供应12层HBM4，SK海力士原定2026年初供货。

另一方面，泰国总理贝东塔在与黄仁勋会面后，总理办公室发表声明表示，辉达将帮助泰国发展AI基础设施并分享技术专业，双方也将在AI教育与技能发展携手合作。