突破西方晶片科技禁运 陆国产小晶片4nm封装开始量产

大陆业者长电科技开发的小晶片先进封装技术已开始为国际客户的4nm多晶片封装进行量产。（图／Shutterstock)

用先进的封装技术连接功能不同的数个晶片以达到先进制程晶片功能的小晶片(chiplet，又称晶粒)技术，被视为中国突破美国晶片科技禁运的捷径，这项技术快速追赶下，大陆业者长电科技开发的先进封装技术已开始为国际客户进行的4nm多晶片封装量产。

据《快科技》报导，在面对西方国家对大陆进行包括EUV光刻机在内的半导体设备禁运，以小晶片等先进封装技术将成熟制程的晶片组合连结后达到先进制程晶片功能，这项成为中国突破美方科技禁运的重要路线之一，最近大陆也在此领域很快地获得明显进展。

报导说，大陆长电科技宣布，该公司开发的XDFOI小晶片高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多晶片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500mm2的系统级封装。

长电科技表示，目前该公司XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内，微凸点(μBump)中心距为40μm，实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。

同时，这项技术还可以在封装体背面进行金属沉积，在有效提高散热效率的同时，根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力，提升晶片成品良率。

据了解，大陆长电科技将充分发挥这一工艺的技术优势，在高性能计算、人工智慧、5G、汽车电子等领域应用，向下游客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的晶片成品制造解决方案。

国际半导体业者最初发展小晶片技术并非因为受到美国科技禁运，而是随着先进制程不断深入，随着制程工艺逐渐接近物理极限，半导体设备的技术竞争激烈，光刻机等设备价格与制造成本皆快速飙高，让业界被迫寻找新的替代技术，小晶片就是其中之一。

小晶片的概念是不执着将所有的晶体管全部整合在一块晶片内，而是将多个功能相异的晶片透过先进封装技术整合在一起，形成一个系统晶片，如此可以不使用先进制程晶片就能达到相近的性能要求。

目前台积电、高通等半导体企业以及谷歌、微软等IT巨头在内的10家企业就小晶片技术展开合作，公开了通用小晶片互联标准「UCIe」，还成立了以实现标准化和构建生态系统为目标的产业联盟。大陆则是因为先进制程设备受到禁运，因此想借此突破美方的晶片技术封锁，更有机会在半导体产业进行弯道超车。