忧台湾市场落后 专家吁国际合作

专家认为，台湾在这块市场蛮有机会，建议可以从「扩大国际合作」着手。图为民众欣赏特斯拉Model 3。（美联社）

政府开始扶植第三代半导体（化合物半导体）设备国产化起跑，专家认为，台湾在这块市场蛮有机会，但是目前落后在美国、甚至急起直追的中国后面，「要加速、加快才行」，建议可以从「扩大国际合作」着手。

工研院产业科技国际策略发展所研究总监杨瑞临说，化合物半导体市场还在起飞阶段，以台湾来说，开发电动车、5G基地台，厂商生产的化合物半导体元件、设备、基板，都要从国外进口。这块市场目前美国执牛耳，其他还有日本、德国等，国内应该要先做「进口替代」。

晶圆做成矽晶棒的过程叫做「长晶」，是最基本也是最困难的地方。而第三代半导体的碳化矽（SiC），长晶炉虽然台湾可以买的到，可是杨瑞临形容，就像义大利卖橄榄油，最好的留在国内，次级品再出口。同样道理，长晶炉买到通常是标准型，重要零组件很难买到，影响所及，就是良率跟品质较差。

金属工业研发中心主管表示，国外趋势目前也是锁定长晶炉，这是可以抢占市场的先机，台湾如果不自己发展，以后可能碰到国外大厂好的优先留着自己用，对我们不利。

杨瑞临说，去年化合物半导体4吋是主流， 6吋则是慢慢量产阶段。国际上本来预估，8吋成为主流市场要花点时间，但现在几乎每一家都喊要推出产品，而台厂目前8吋都还没有，「我们产业要家加速、加快才行！」

杨瑞临表示，碳化矽生产我们不仅落后美国，也落在洒下庞大资金急起直追的中国后面，目前政府力道还是不够，厂商也需要自己加码投资。他强调，除政策补助、厂商投资，有一个重要策略要去做，就是「扩大国际合作」。当然，国外大厂未必理我们，但策略上可以找出中小型企业、学研单位，来做介接与合作。

杨瑞临强调，化合物半导体如果有自制能力，也就有谈判合作的筹码。而长晶炉就是战略性资产，要从上游先建立起来。