浙江创芯申请OPC模型相关专利，有利于降低光学邻近修正方法的误差

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质”的专利，公开号CN 118915374 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种OPC 模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质，所述建立方法包括：形成半导体结构，所述半导体结构具有经刻蚀层；通过量测机台，对所述经刻蚀层进行量测，获得刻蚀后量测值；将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值；根据所述显影后量测值，建立OPC模型。所述经刻蚀层中图形的轮廓清晰度更高，量测机台所获得的刻蚀后量测值准确度更高、精度更高，以刻蚀后量测值转换而得的显影后量测值为基础所建立的OPC模型的误差更小、精度更高，有利于降低光学邻近修正方法的误差，提高修正精度。

本文源自：金融界

作者：情报员