浙江最成申请溅射靶专利，具有较好的成膜特性

金融界2024年11月30日消息，国家知识产权局信息显示，浙江最成半导体科技有限公司申请一项名为“种溅射靶其制备方法及种半导体芯片”的专利，公开号CN 119040830 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请涉及一种溅射靶及其制备方法，所述溅射靶为钴材溅射靶，所述溅射靶中钴的含量大于99.9wt％，所述溅射靶中hcp晶体结构的体积占比超过95％，并且所述溅射靶中hcp晶体结构的不同晶面的X射线衍射峰强度符合下式关系：(002)/{(101)+(102)+(103)+(112)+(004)+(002)}>0.75，其中，所述溅射靶的溅射面为X射线衍射的测量平面。本申请的溅射靶具有均匀的排列和高透磁率，具有较好的成膜特性。

本文源自：金融界

作者：情报员