专家传真－上半年记忆体市场夯 小心两大隐忧押后

2020年国内外记忆体市场规模表现将摆脱2019年衰退的局面转为成长态势，其中上半年表现较为突出，主要系因新冠病毒肺炎疫情意外刺激宅经济、远端教学与上班，因而带动对于NB、资料中心、伺服器等的需求，进而拉抬对于DRAM、NOR Flash、NAND Flash的出货量，同时3月起中国复工陆续进入正轨，内需市场逐渐回温，进而中国市场对于本产业的需求有所回升，更何况国际大厂新扩厂产能有限，且多局限于制程技术微缩、堆叠层数拉高等，显然供给端获得有效控制，在上述情况下，进而促使国内外记忆体报价出现上涨。

在上述状况下，受惠于远端办公与虚拟学习活动需求提升，带动商用与教育用笔记型电脑需求走扬，记忆体业者为因应疫情所带来需求端的转移，已有将布局的重心由智慧型手机市场移至资料中心市场的现象。

至于我国业者也持续深耕技术的研发，如南亚科10奈米级DDR4、LPDDR4及DDR5产品依进度开发，预计于2020年下半年导入试产，也由于技术投入需资金投入，加上公司仍需支付递延的20奈米产品专利授权费用，因此2020年南亚科为冲刺10奈米制程技术自主研发与试产线而调高资本支出至157.6亿元，较2019年大增1.9倍，其中南亚科10奈米制程中的1A世代已预定2020年下半年试产，1B制程技术也开始研发阶段，预计2022年前导入试产，后续会开发第三代1C制程技术，显然我国记忆体大厂也开始积极朝向技术可控的方向迈进。

但值得留意的是，由于2020年第三季需特别留意整体终端需求的回升力道，否则先前客户于第二季提前拉货的状况，反而使得第三季库存去化不易，而大幅削弱用户端采购力道，使得DRAM价格涨幅受到抑制，毕竟2020年上半年一部分的需求是属于客户因忧心疫情恐造成后续供应链出现断链而提前备货的下单，因此若下半年终端应用市场复苏力道未如预期，则恐影响尔后客户持续拉货的力道，显然上半年急单效应过后，2020年下半年PC、资料中心/伺服器、游戏机等销售状况是否持续拉出长红则成为关键，也为记忆体价格能否续涨的观察重点，反映终端业者对于市场不确定性、手机销售下滑，以及资料中心拉货续航力仍抱持疑虑。

此外，中国NAND Flash产能的进展亦是市场关注的焦点，特别是长江存储已于2020年4月中旬宣布将推出两款128层3D NAND Flash产品，分别为容量为1.33Tb的128层QLC 3D NAND Flash、容量为512Gb的128层TLC 3D NAND Flash，此意谓中国在记忆体的推进上有所斩获，量产时程将落于2020年底前。

而由于Samsung是在2019年11月达成了第六代128层512Gb TLC 3D NAND的量产，而 SK Hynix方面是在2020年第一季宣布推出基于首款128层 1Tb TLC 4D NAND的企业级SSD，至于Kioxia与WD合作于2020年1月份宣布携手研发出计划推出112层1Tb(128GB)TLC以及1 .33Tb QLC产品，因此长江存储的技术相较于国际大厂正在逐步缩小；同时也意谓2021年全球NAND Flash将有中国新增产能加入，特别是长江存储当前目标将着重于与OEM进行64层TLC的相关产品导入及提升良率，并在2021年加大128层产品的量产规模，包含TLC以及QLC产品，以扩大客户基础，显然在中国二期积体电路大基金积极扶植下，将使得2021年全球NAND Flash竞争更为激烈，价格方面恐面临不小的压力。