比传统记忆体快1000倍！intel 发表 3D XPoint 技术
今年下半年，Intel 今年下半年的重点将会放在次世代处理器布局，然而比较让人意外的地方在于这个比传统记忆体（DRAM）采用的 NAND Flash 技术还快上 1,000 倍的 3D Xpoint 技术，历经十多年的开发，终于发表。
这项技术由 Intel 与 Micron 共同宣布，历经超过十年的 3D XPoint 技术已经完成开发，这项技术采用交叉式阵列结构组成，让每个垂直导体更有效率的排列，进而有效连结 1280 亿个记忆体储存单元，每个记忆体储存单元还可以堆叠，密度比传统记忆体高出 10 倍，初步规划是让每个单元储存 128GB，可以推叠成两层记忆体元件，进而在单位面积底下提供更大的缓存与储存空间。
另外还有一项，是有关于微型化储存单元的技术突破，这项技术配合新的作业系统，借由 Selector、快速写入、低延迟交叉结构等方式改善了每个记忆体单元的储存跟读取的电压需求，同时又可以进一步发挥记忆体储存与读取的效率。
根据 intel 官方数据指出，在导入 3D XPoint 技术的非挥发性记忆体（NVM），将比现有采用 NAND Flash 技术的记忆体（RAM）还要快上 1,000 倍，耐用度部分也提升 1,000 倍，当然，以现有规划来说，应该就是率先导入商用市场。