三星衝HBM 暗示攜手台積…尋求高頻寬記憶體領域合作

三星释出上季半导体业绩不如市场预期，调降其晶圆代工资本支出等讯息，并暗示可能与台积电在高频宽记忆体协调合作。（美联社）

南韩科技巨头三星昨（31）日举行财报会议，释出上季半导体业绩不如市场预期，调降其晶圆代工资本支出等讯息，仅AI相关市场发展与公司布局让市场惊艳，三星并暗示可能与台积电（2330）在高频宽记忆体（HBM）协调合作，以满足多家客户不同需求。

法人指出，目前台积电高频宽记忆体最主要合作伙伴为另一家韩国记忆体大厂SK海力士，若三星也加入相关合作，对台积电冲刺AI等高速运算事业将有正面助益，持续带旺台积电营运。

三星昨天公布上季整体营业利益比去年同期激增277.4%至9.2兆韩元（66.6亿美元），略高于本月初初估的9.1兆韩元，营收也成长17.3%至创纪录的79.09兆韩元。不过，上季晶片部门营业利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韩元（28亿美元），营收季增3%至29.27兆韩元，皆低于预期。

三星表示，已从高频宽记忆体、DDR5及伺服器储存产品获得「庞大营收成长」。预期本季半导体事业表现将好转，尽管行动和PC记忆体晶片需求可能疲软，AI成长将维持需求在热络水准，预测消费电子产品市况仍将相当平淡，AI和资料中心需求将维持强劲，伺服器记忆体产品需求到明年都将「强劲且稳定」，包括AI和传统伺服器。

三星记忆体事业主管金在俊表示，将弹性减产部分传统DRAM和NAND晶片到符合市场需求的水准，以加速转换到先进制程节点。

三星预定下半年开发并量产HBM4，明年记忆体部门将聚焦于高频宽记忆体和伺服器固态硬碟（SSD），暗示可能和台积电协调合作，以满足多家高频宽记忆体客户的不同需求。

三星主管也暗示，HBM3E晶片在赢得辉达（NVIDIA）认证方面「大有进展」，预期第4季将向客户销售。

三星并发布新闻稿指出，预料在AI PC和AI应用带动下，明年整体晶圆代工市场将双位数成长，但该公司未提供其晶圆代工事业的成长预估。

三星在新闻稿提到，晶圆代工业务明年寄望成功的2奈米量产来确保主要客户。 此外，整合先进的制程节点和先进封装解决方案以进一步开发HBM Buffer die（缓冲裸晶）有助获得人工智慧和高速运算（HPC）新客户。

三星提到，今年资本支出将比去年略增3.6兆韩元、达56.7兆韩元，晶片资本支出预料为47.9兆韩元（347亿美元），略低于去年，主要是缩减今年晶圆代工资本支出，集中于现有产线的技术转变。今年记忆体资本支出则将与去年相同，优先投入高频宽记忆体和DDR5等高附加价值产品。

相较下，台积电今年资本支出将略高于300亿美元。彭博资讯指出，三星今年资本支出只略高于台积电，引人怀疑如何同时在高频宽记忆体赶上SK海力士、在晶圆代工追赶台积电。

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