SK海力士砸900亿美元扩产

SK海力士拟斥资900亿美元扩产，规划在2025年3月正式启动，考量目前AI市场对HBM产品的庞大需求，SK海力士很可能选择优先扩大HBM产能。图／美联社

SK海力士HBM／TSV产能预估

人工智慧（AI）和高效能计算（HPC）市场需求大增，韩国记忆体大厂SK海力士凭着旗下的高频宽记忆体（HBM）和DDR5产品，2023第四季本业转亏为盈，为巩固市场，拟斥资900亿美元扩产。

根据外电报导，SK海力士预计至少斥资120兆韩元（近900亿美元）的资金，在位于韩国京畿道中部的龙仁市建设新的半导体生产园区，其中，包括四座独立的晶圆厂，目前正在做开工前的准备工作，而准备工作已完成了三分之一。

据报导，SK海力士规划在2025年3月正式进行扩产计划，首座晶圆厂将在2027年完工，整个园区预计在2046年完工。

考量到目前AI市场对于HBM产品的庞大需求，SK海力士在产能吃紧的情况下，很可能选择优先扩大HBM产能。

另外，预计建造的四座晶圆厂，将占据园区的一半大小，且SK海力士还将在园区内兴建配套支援设施，如废水处理厂、资源回收场等。

除了SK海力士外，三星也选择了在附近建造类似的半导体生产园区、研发中心，以因应AI带来的市场需求。

SK海力士第五代高频宽记忆体HBM3E，主攻辉达（NVIDIA）H200／B100商机，是市面上针对AI应用的最高规格DRAM产品，提供业界最高36GB容量、每秒1.18TB的处理速度，以及卓越的散热性能，特别适用于人工智慧系统。

SK海力士在3月19日已宣布HBM3E率先成功量产，SK海力士目前在HBM市占率高达5成，惟三星及美光皆想抢食此块大饼。

惟外电亦报导，辉达最快将自9月开始大量采购12层HBM3E记忆体，外界推估将抢食辉达GB200商机，这些记忆体将由三星独家供货，打破SK海力士在HBM市场的独霸地位。