行业协会：陆半导体国产化替代周期 恐逾十年

针对大陆半导体国产化一事，北京半导体行业协会副秘书长朱晶25日坦言，大陆在曝光机、先进制程离子植入机等设备，以及矽晶圆等领域的基础差、任务重、研发难，而且投入周期长、人才少，可能需要十年以上的国产化替代周期。

集微网报导，朱晶在第五届集微半导体峰会发表演讲，提出大陆半导体国产化将受到地缘因素、技术革新换代、超大规模市场、半垄断行业、顶尖人才外溢效应，以及产业链协同等六大因素影响。

朱晶指出，目前半导体产业因具有未来基础技术的重要性而被美国视为「地缘技术」（即某项技术重要到能够影响社会运作），而中美纷争为地缘因素驱动大陆半导体国产化进程提供外部条件，在半导体设备、EDA（电子设计自动化）等美企的垄断性强、技术壁垒高、人才稀少的上游领域，国产化进程受此影响更为明显。

在技术革新换代方面，朱晶表示，近年来大陆在先进领域的研发水准逐步提升，例如2020年大陆共有23篇国际固态电路会议（ISSCC）论文入选，排名全球第三，其中超过四分之一的论文是由学术界和业界合作完成，比例超过韩国、美国。表明大陆未来在新器件、新原理、新材料等方面有望赶上技术革新换代窗口机遇。