《科技》应材新电子束量测系统 助晶片制程加速开发

应材表示，数家客户已选择VeritySEM 10新系统作为环绕闸极（GAA）电晶体的已验证开发机台。而所有领先的3D NAND客户，均选择此系统作为已验证的开发和制程设备，且有多家DRAM客户选为已验证制程设备。

应材说明，晶片制造商在微影成像机（lithography scanner）将图案自光罩转移到光阻后，可利用关键尺寸扫描式电子显微镜（CD-SEM）进行次奈米级的量测作业，并借此持续调校微影制程效能，以确保蚀刻到晶圆的图案正确。

在完成蚀刻后，晶圆制造商可再运用CD-SEM来分析目标图案（intended pattern）与晶圆上结果图案间的相关性。因此，CD-SEM有助于控制蚀刻制程，并在微影和蚀刻制程间建立回馈循环，让工程师能取得用以调整整体制程的高度相关资料集。

然而，随着极紫外光（EUV）、特别是高数值孔径（High-NA）EUV的光阻越来越薄，量测半导体元件特征的关键尺寸越来越具挑战性。为捕捉高解析度影像，提供准确、次奈米级的量测，CD-SEM必须能精确将狭窄的电子束投射到极薄光阻占据的微小区域。

而在电子束能量与光阻相互作用下，若冲击能量（landing energy）太高，光阻会收缩、使图案变形并产生误差。传统CD-SEM无法投射极窄的光束来产生高解析度影像，并以更低的冲击能量尽量减少与高精密High-NA光阻的相互作用。

应材表示，VeritySEM 10电子束量测系统系统专门用来精确量测由EUV和新兴High-NA EUV微影技术定义的半导体元件的关键尺寸，与传统CD-SEM相比可提供2倍解析度、扫描速度快3成，能协助晶片制造商加速制程开发，并最大化大量制造良率。

VeritySEM 10系统也被晶片制造商应用于3D设计的关键尺寸量测，包括GAA逻辑电晶体和3D NAND记忆体，前者用于量测和描述高度影响电晶体效能的选择性磊晶（selective epitaxy）制程，后者则能量测整个阶梯（staircase）的内连结构，协助调整蚀刻制程配方。