日月光推小晶片互联技术 锁定AI应用商机

日月光半导体21日宣布VIPack平台先进互连技术的新进展，晶片与晶圆间的互联间距从40um提升至20um。（示意图／摘自日月光官网）

日月光半导体21日宣布VIPack平台先进互连技术的新进展，透过凸块技术将晶片与晶圆互联间距的制程能力，从40um提升至20um，在新一代垂直整合与2D并排解决方案中相当重要，可以满足AI应用小晶片整合的需求。

日月光指出，小晶片设计方法的加速进化，对于以往存在晶片IO密度限制进行真正的3D 分层IP区块，日月光的先进互连技术使设计人员能够有创新的高密度小晶片整合选项。日月光的微凸块技术使用新型金属叠层（metallurgical stack），将间距从 40um 减少到 20um。微凸块技术的进步扩展现有的矽与矽互连能力，此技术更有助于促进其他开发活动，从而进一步缩小间距。

当针对系统单晶片（SoC）进行小晶片或IP区块解构（disaggregation）时，区块之间可能存在大量的连接。而小尺寸IP区块往往会导致许多空间受限的连接。微间距互连技术可以实现3D整合以及更高密度的高IO记忆体（high IO memory）。

月光集团研发处长李长祺表示，矽与矽互连已从銲锡凸块进展到微凸块技术，随着我们进入人工智慧时代，对于可跨节点提升可靠性和优化性能的更先进互连技术需求日益增长，我们通过新的微间距互连技术突破小晶片整合障碍，并将持续突破极限以满足小晶片整合需求。