英特爾攜手聯電共同開發12奈米製程平台 2027年投產

英特尔携手联电，冲刺晶圆代工版图，双方共同开发12奈米制程平台，并订2027年量产。图/英特尔提供

英特尔冲刺晶圆代工版图，今日与联电共同宣布，双方将合作开发12奈米制程平台，以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长。联电表示将借由双方合作，卡位美国尚欠缺的12奈米成熟制程平台，承接包括下世代WiFi、行动基地台及相关行动晶片，并预定在2027年正式投入投产。

这也是英特尔继与高塔半导体在成熟制程合作后，又一项结合台厂的联电，扩大晶圆代工版图的行动。

英特尔和联电双方共同声明，强调这项长期合作结合英特尔位于美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。

英特尔及联电同步表示，双方将共同分摊12奈米开发成本，且因英特尔现有生产16奈米制程设备已全数摊提完毕，未来延伸至12奈米，将可填补英特尔现有成熟制程缺口，提供客户更大的选择弹性。这项合作也顺应地缘政治风险，全新的合作模式。

英特尔资深副总裁暨晶圆代工服务（IFS）总经理Stuart Pann表示，「几十年来，台湾一直是亚洲和全球半导体及广泛的技术生态系的重要成员，英特尔致力于与联电这样的台湾创新企业合作，为全球客户提供更好的服务。英特尔与联电的策略合作进一步展现了为全球半导体供应链提供技术和制造创新的承诺，也是实现英特尔在2030年成为全球第二大晶圆代工厂的重要一步。」

联电共同总经理王石表示，「联电与英特尔进行在美国制造的12奈米FinFET制程合作，是本公司追求具成本效益的产能扩张，和技术节点升级策略的重要一环，此举并延续我们对客户的一贯承诺。这项合作将协助客户顺利升级到此关键技术节点，同时受惠于扩展位于北美市场产能带来的供应链韧性。联电期待与英特尔展开策略合作，利用双方的互补优势，以扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。」

此项12奈米制程将善用英特尔位于美国的大规模制造能力和FinFET电晶体设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的强大组合。受惠于联电在制程上的领导地位，以及为客户提供PDK及设计支援方面的数十年经验，得以更有效地提供晶圆代工服务。新的制程将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资，并最佳化利用率。

双方将致力满足客户需求，透过生态系合作伙伴提供的电子设计自动化（EDA）和智慧财产权（IP）解决方案，合作支援12奈米制程的设计实现（design enablement）。此12奈米制程预计在2027年投入生产。

英特尔在美国和全球已投资和创新超过55年，除了爱尔兰、德国、波兰、以色列和马来西亚之外，也在美国的俄勒冈州、亚利桑那州、新墨西哥州及俄亥俄州设立或规划制造基地，以及进行投资。英特尔晶圆代工服务（IFS）在2023年有重大进展，与客户建立良好的互动，包括采用Intel 16、Intel 3及Intel 18A制程技术的新客户，拓展其持续成长的晶圆代工生态系。IFS预期在2024年将继续取得进展。