《半导体》IET-KY联手IVWorks 攻GaN磊晶产品全球杯

IET-KY(4971)(英特磊)宣布与韩国IVWorks公司合作，共同开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓(GaN)磊晶片，英特磊总经理高永中表示，希望透过这次的合作案，联手开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务，应用于RF(射频)和电力零组件市场。

5G及物联网时代来临，由于氮化镓(GaN)具有高频优势，被看好将是会被大量应用的新一代半导体材料，国内半导体及砷化镓厂积极跨足布局，继日前中美晶(5483)宣布入股宏捷科(8086)，IET-KY亦在今天宣布与IVWorks公司合作，共同开发以MBE分子束磊晶技术生产氮化镓(GaN)磊晶片。

IVWorks运用混合式MBE技术(Hybrid-MBE)，生产高质量的GaN磊晶片；所谓混合式MBE磊晶就是利用氨和电浆搭配的氮源进行磊晶，以最佳化质量和生长速率，该公司开发机器学习的人工智能(AI)磊晶监控系统“Domm”，透过深度学习算法来检测和分析反射高能电子衍射(RHEED)图像，使该系统可以在MBE磊晶过程中，即时监控原子层级的晶体生长表面，运用学习数据集来建立预测模型，并以该预测模型应用于磊晶片质量，提高生产良率；该公司目前使用三组MBE系统来生产100mm至200mm的GaN磊晶片。

英特磊则是运用拥有多项美国专利的即时生产监控系统，以分子束磊晶片生产机台(MBE)成长磊晶片于砷化镓、磷化铟、锑化镓基板，产品应用于电子及光电产业，高永中表示，两家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技术方面即有密切合作，技术和行销联盟的框架于2019年形成，利用英特磊在MBE的量产经验模式，以及硬体设备自主改造升级的实力，可迅速将GaN磊晶片导入与IVWorks合作的产品组合，他强调，此次合作将结合IVWorks的先进MBE GaN长晶和AI技术，以及英特磊的大规模MBE磊晶生产和硬体设备自主经验与能力，共同开发MBE制造的GaN磊晶产品全球业务，应用于RF和电力零组件市场。

IVWorks的首席执行长Young-Kyun Noh则表示，此次与MBE磊晶生产专家英特磊合作，公司将加快使用革命性的AI制造系统向全球半导体行业提供高质量GaN磊晶片，同时提高市场渗透率和应对速度，并借由英特磊化合在物半导体磊晶业务和大规模生产方面的长期经验，增强GaN磊晶片的市场竞争力，现有产品GaN/Si(最大200mm)和GaN/SiC(最大150mm)已进入送样阶段。